70s600p7 Ipd70r600p7s 70s600p Ipd 70r600p7s 70s600 To-252
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Características principales
Marca | Infineon |
|---|---|
Modelo | 70S600P7 IPD70R600P7S |
Código del transistor | 70S600P7 IPD70R600P7S |
Formato de venta | Unidad |
Otros
Tipo de encapsulado: TO-252
Voltaje máximo soportado: 700V
Corriente máxima soportada: 8.5 A
Potencia máxima soportada: 43.1 W
Polaridad: CANAL N
Descripción
LOS FETS SON 100% ORIGINALES INFINEON Y SU CALIDAD GARANTIZADA
• Fabricante: Infineon
• Código: IPD70R600P7S
• Marking: 70S600P7
• Descripción:
~ Transistor MOSFET Canal N de muy bajas pérdidas ESD protected ~
- Zeners de protección de gate integrados
- Tensión Drain-Source: 700V
- Tensión Gate- Source (static): +/-16v
- Tensión Gate- Source (dynamic)): +/-30v
- Corriente de Drain: 8,5A
- Corriente de Drain pulsada: 20,5A
- Potencia disipada: 43,1W
- RDS(on) típico: 0.49ohm
- Tiempo de Encendido TD(on): 14ns
- Encapsulado TO-252 (SMD)
• Aplicaciones:
- Tv LED de última generación
- Tv Plasma
- Cargadores y fuentes externas
- Fuentes varias
- Inverters
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